列真株式會(huì)社自創(chuàng)業(yè)以來，秉承“挑戰(zhàn)"、“創(chuàng)造"、“誠實(shí)"的經(jīng)營理念，為顧客提供可靠、可信的產(chǎn)品和服務(wù)。運(yùn)用激光掃描技術(shù)，專門制造、銷售半導(dǎo)體材料表面及內(nèi)部檢查、石英玻璃表面檢查等檢查裝置。其激光檢測(cè)技術(shù)可同時(shí)收集激光的反射光，透射光以及共聚焦，可一次性檢查第三代半導(dǎo)體SIC等材料表面，背面和內(nèi)部的缺陷，可探測(cè)最小缺陷為100納米，主要用于半導(dǎo)體光罩、LCD大型光罩的石英玻璃表面、內(nèi)部、背面的缺陷檢查。

特征：

• SiC單晶晶圓和EPI晶圓都可以檢查。

• 不僅是表面缺陷，內(nèi)部缺陷和背面缺陷也同時(shí)檢查。

• 有助于缺陷分析的4種Review圖像。

• “AI Classify”進(jìn)行缺陷分類、好壞判定。

• 免維護(hù)。

• 世界FIRST用反射散射光、透射散射光、共聚焦光的混合檢查裝置。

• 能檢出至今為止檢查不出的缺陷。

•  

規(guī)格：

應(yīng)用：

SiC、GaN

半導(dǎo)體光罩（石英玻璃與涂層）

石英Wafer   Si Wafer

HDD Disk LT Wafer

藍(lán)寶石襯底

EUV光罩

光罩防塵膜

可全面檢測(cè)表面、內(nèi)部、背面的缺陷。

檢出缺陷：顆粒、劃痕、結(jié)晶缺陷。

外延缺陷                         襯底缺陷

胡蘿卜型缺陷                  六方空洞缺陷

慧星缺陷                         層錯(cuò)缺陷

三角缺陷                         微管缺陷

邊緣缺陷

CI8是一款專為SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體晶圓設(shè)計(jì)的激光掃描檢測(cè)裝置，采用反射散射光、透射散射光與共聚焦光混合檢測(cè)技術(shù)，可一次性完成晶圓表面、背面及內(nèi)部缺陷的全面檢測(cè)，最小可檢出100 nm缺陷。設(shè)備支持2至6英寸晶圓，單張4英寸晶圓檢測(cè)時(shí)間約200秒，緊湊的機(jī)身（450×500×730 mm）便于在實(shí)驗(yàn)室或產(chǎn)線靈活部署。

在實(shí)際使用中，該設(shè)備可有效識(shí)別顆粒、劃痕、微管、堆垛層錯(cuò)、胡蘿卜缺陷、三角缺陷等SiC/GaN典型缺陷，并同步提供四種高倍率復(fù)查圖像，結(jié)合AI分類功能實(shí)現(xiàn)缺陷自動(dòng)歸類與良率判定。設(shè)備采用免維護(hù)設(shè)計(jì)，運(yùn)行成本低；除SiC、GaN外，還可用于藍(lán)寶石襯底、石英光罩、硅片、HDD玻璃基板等材料的表面與內(nèi)部缺陷檢測(cè)。

在配置與選型方面，用戶可依據(jù)晶圓尺寸與檢測(cè)通量需求選擇載物臺(tái)規(guī)格，并可與產(chǎn)線自動(dòng)化系統(tǒng)（如SECS/GEM）對(duì)接，實(shí)現(xiàn)檢測(cè)數(shù)據(jù)集成與批次管理。如需評(píng)估該設(shè)備對(duì)您特定缺陷類型的檢出能力，或獲取樣品實(shí)測(cè)與工藝適配方案，歡迎聯(lián)系我們進(jìn)行技術(shù)交流。